IRFP240PBF

Symbol Micros: TIRFP240
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 180 mOhm; 20A; 150 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFP240PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 180mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO247
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFP240PBF RoHS Gehäuse: TO247  
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 25+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,7833 1,4160 1,2648 1,1997 1,1881
Standard-Verpackung:
25/150
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2026-12-11
Anzahl Stück: 100
Widerstand im offenen Kanal: 180mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO247
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 155°C
Montage: THT