IRFP450

Symbol Micros: TIRFP450
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 3P
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N-MOSFET-Transistor; 500V; 20V; 400 mOhm; 14A; 190 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFP450PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 400mOhm
Max. Drainstrom: 14A
Maximaler Leistungsverlust: 190W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFP450 RoHS Gehäuse: TO 3P Datenblatt
Auf Lager:
190 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 25+ 100+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,9292 1,4265 1,2263 1,1557 1,1353
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Standard-Verpackung:
25/200
Widerstand im offenen Kanal: 400mOhm
Max. Drainstrom: 14A
Maximaler Leistungsverlust: 190W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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