IRFP90N20D

Name: TIRFP90n20d TIRFP90n20d
Brand: Infineon
SKU: TIRFP90n20d
Price: 1.9653 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRFP90n20d

Gehäuse: TO247

N-MOSFET-Transistor; 200V; 30V; 23mOhm; 94A; 580 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFP90N20DPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	23mOhm
Max. Drainstrom:	94A
Maximaler Leistungsverlust:	580W
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFP90N20DPBF Gehäuse: TO247

Externes Lager:

4947 stk.

Anzahl Stück	75+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,9653

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFP90N20DPBF Gehäuse: TO247

Externes Lager:

140 stk.

Anzahl Stück	5+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	2,9489

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFP90N20DPBF Gehäuse: TO247

Externes Lager:

7875 stk.

Anzahl Stück	400+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	2,0692

Widerstand im offenen Kanal:	23mOhm
Max. Drainstrom:	94A
Maximaler Leistungsverlust:	580W
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT

Anzahl Stück	1+	5+	30+	150+	300+
Nettopreis (EUR)	2,4639	1,9542	1,7358	1,6583	1,6418