IRFPE50 JSMICRO
Symbol Micros:
TIRFPE50 JSM
Gehäuse: TO247
N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 20V; 1,2Ohm; 7,8A; 190W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRFPE50PBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,2Ohm |
| Max. Drainstrom: | 7,8A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 190W |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | JSMICRO |
| Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,2Ohm |
| Max. Drainstrom: | 7,8A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 190W |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | JSMICRO |
| Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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