IRFR014

Symbol Micros: TIRFR014
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
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Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 200mOhm; 7,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRFR014PBF; IRFR014TRPBF; IRFR014TRLPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 200mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Max. Drainstrom: 7,7A
Gehäuse: TO252
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFR014PBF RoHS Gehäuse: TO252  
Auf Lager:
600 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 75+ 300+ 600+
Nettopreis (EUR) 0,6393 0,4037 0,3057 0,2823 0,2777
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Standard-Verpackung:
75/600
Widerstand im offenen Kanal: 200mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Max. Drainstrom: 7,7A
Gehäuse: TO252
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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