IRFR210PBF

Symbol Micros: TIRFR210
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Gehäuse: DPAK
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 1,5 Ohm; 2,6A; 2,5 W; -55°C~150°C; Äquivalent: IRFR210TRPBF; IRFR210TRLPBF; IRFR210PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,5Ohm
Max. Drainstrom: 2,6A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 1,5Ohm
Max. Drainstrom: 2,6A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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