IRFR220 smd

Symbol Micros: TIRFR220
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPAK)
N-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 800 mOhm; 4,8A; 42W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFR220PBF; IRFR220TRPBF; IRFR220TRLPBF; IRFR220TRRPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 800mOhm
Max. Drainstrom: 4,8A
Maximaler Leistungsverlust: 42W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFR220 RoHS Gehäuse: TO252 (DPAK)  
Auf Lager:
25 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 75+ 300+ 1200+
Nettopreis (EUR) 0,5539 0,3347 0,2493 0,2290 0,2211
Standard-Verpackung:
75
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFR220PBF Gehäuse: TO252 (DPAK)  
Externes Lager:
600 stk.
Anzahl Stück 75+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,2211
Standard-Verpackung:
75
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFR220PBF Gehäuse: TO252 (DPAK)  
Externes Lager:
3246 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,2394
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 800mOhm
Max. Drainstrom: 4,8A
Maximaler Leistungsverlust: 42W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD