IRFR24N15D

Symbol Micros: TIRFR24n15d

Gehäuse: TO252

N-MOSFET-Transistor; 150V; 30V; 95mOhm; 24A; 140 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFR24N15DPBF; IRFR24N15DTRPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	95mOhm
Max. Drainstrom:	24A
Maximaler Leistungsverlust:	140W
Gehäuse:	TO252
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	150V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR24N15DTRPBF RoHS Gehäuse: TO252t/r

Auf Lager:

1000 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	1,2084	0,8466	0,7189	0,6574	0,6361

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR24N15DTRPBF Gehäuse: TO252

Externes Lager:

4000 stk.

Anzahl Stück	2000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,6361

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR24N15DTRPBF Gehäuse: TO252

Externes Lager:

8000 stk.

Anzahl Stück	2000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,6361

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR24N15DTRPBF Gehäuse: TO252

Externes Lager:

8000 stk.

Anzahl Stück	2000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,6361

Widerstand im offenen Kanal:	95mOhm
Max. Drainstrom:	24A
Maximaler Leistungsverlust:	140W
Gehäuse:	TO252
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	150V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	2+	10+	30+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,7402	0,4635	0,3855	0,3429	0,3216