IRFR3707Z
Symbol Micros:
TIRFR3707z
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-MOSFET 56A 30V 50W IRFR3707ZTRPBF IRFR3707ZPBF IRFR3707ZPBF-GURT
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 9,5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 56A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 50W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 9,5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 56A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 50W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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Standard-Verpackung: 200
Menge (Vielfache 1)
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