IRFR3806

Symbol Micros: TIRFR3806
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
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N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 15,8 mOhm; 43A; 71W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFR3806PBF; IRFR3806TRPBF; IRFR3806PBF-GURT;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 15,8mOhm
Max. Drainstrom: 43A
Maximaler Leistungsverlust: 71W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR3806TR RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r  
Auf Lager:
3193 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 1,1654 0,7762 0,6432 0,5791 0,5554
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Standard-Verpackung:
2000
Widerstand im offenen Kanal: 15,8mOhm
Max. Drainstrom: 43A
Maximaler Leistungsverlust: 71W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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