IRFR5410 smd

Symbol Micros: TIRFR5410
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPAK)
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 205 mOhm; 13A; 66W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFR5410TRPBF; IRFR5410TRLPBF; IRFR5410PBF; IRFR5410PBF-GURT;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 205mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 66W
Max. Drainstrom: 13A
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFR5410 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
13 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 40+ 100+ 450+
Nettopreis (EUR) 0,7524 0,4773 0,3856 0,3550 0,3315
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Standard-Verpackung:
450
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFR5410TRPBF RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,7524 0,4773 0,3762 0,3433 0,3268
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Standard-Verpackung:
200
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR5410TRRPBF Gehäuse: TO252 (DPAK)  
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,3651
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR5410TRPBF Gehäuse: TO252 (DPAK)  
Externes Lager:
74000 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,3738
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Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR5410TRPBF Gehäuse: TO252 (DPAK)  
Externes Lager:
22000 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,3588
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Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 205mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 66W
Max. Drainstrom: 13A
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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