IRFR5410 smd

Symbol Micros: TIRFR5410
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPAK)
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 205 mOhm; 13A; 66W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFR5410TRPBF; IRFR5410TRLPBF; IRFR5410PBF; IRFR5410PBF-GURT;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 205mOhm
Max. Drainstrom: 13A
Maximaler Leistungsverlust: 66W
Gehäuse: TO252 (DPAK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFR5410TRPBF RoHS Gehäuse: TO252 (DPAK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
150 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 40+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 0,7280 0,4550 0,3640 0,3253 0,3162
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Standard-Verpackung:
150
Widerstand im offenen Kanal: 205mOhm
Max. Drainstrom: 13A
Maximaler Leistungsverlust: 66W
Gehäuse: TO252 (DPAK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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