IRFR5505

Symbol Micros: TIRFR5505
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
P-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 110mOhm; 18A; 57W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFR5505PBF; IRFR5505TRLPBF; IRFR5505TRPBF; IRFR5505GTRPBF; SP001557164; SP001552238; SP001573294; SP001578228;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 110mOhm
Max. Drainstrom: 18A
Maximaler Leistungsverlust: 57W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR5505TRPBF RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r  
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Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,7097 0,4503 0,3560 0,3230 0,3089
Standard-Verpackung:
2000
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-07-18
Anzahl Stück: 1000
Widerstand im offenen Kanal: 110mOhm
Max. Drainstrom: 18A
Maximaler Leistungsverlust: 57W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD