IRFR7440 INFINEON

Symbol Micros: TIRFR7440

Gehäuse: DPAK

N-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 2,8 mOhm; 180A; 140 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFR7440TRPBF; IRFR7440PBF-GURT;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	2,8mOhm
Max. Drainstrom:	180A
Maximaler Leistungsverlust:	140W
Gehäuse:	DPAK
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR7440TR RoHS Gehäuse: DPAK t/r

Auf Lager:

60 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	30+	150+	300+
Nettopreis (EUR)	1,6577	1,2296	1,0474	0,9882	0,9746

Widerstand im offenen Kanal:	2,8mOhm
Max. Drainstrom:	180A
Maximaler Leistungsverlust:	140W
Gehäuse:	DPAK
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,5875	0,3712	0,2937	0,2664	0,2550