IRFR8314TRPBF-ML MOSLEADER

Symbol Micros: TIRFR8314 MOS
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Gehäuse: TO252 (DPACK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 4mOhm; 155A; 89,3W; -55°C ~ 175°C Äquivalent: IRFR8314TRPBF; SP001565102;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4mOhm
Max. Drainstrom: 155A
Maximaler Leistungsverlust: 89,3W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: MOSLEADER
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: MOSLEADER Hersteller-Teilenummer: IRFR8314TRPBF-ML RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
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100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,8936 0,5614 0,4655 0,4140 0,3883
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 4mOhm
Max. Drainstrom: 155A
Maximaler Leistungsverlust: 89,3W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: MOSLEADER
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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