IRFR9120N

Symbol Micros: TIRFR9120n TEC
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 210mOhm; 13A; 66W; -55°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 110mOhm
Max. Drainstrom: 13A
Maximaler Leistungsverlust: 66W
Gehäuse: TO252
Hersteller: TECH PUBLIC
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2026-12-31
Anzahl Stück: 100
Widerstand im offenen Kanal: 110mOhm
Max. Drainstrom: 13A
Maximaler Leistungsverlust: 66W
Gehäuse: TO252
Hersteller: TECH PUBLIC
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole