IRFS4010

Symbol Micros: TIRFS4010
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263t/r
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 4,7 mOhm; 180A; 375 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFS4010TRLPBF; IRFS4010PBF-GURT; IRFS4010PBF; IRFS4010TRRPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,7mOhm
Max. Drainstrom: 180A
Maximaler Leistungsverlust: 375W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: CHINA BRAND
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: import Hersteller-Teilenummer: IRFS4010TRLPBF RoHS Gehäuse: TO263t/r (D2PAK)  
Auf Lager:
800 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 800+
Nettopreis (EUR) 0,8447 0,5331 0,4201 0,3831 0,3670
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
800
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFS4010TRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
3200 stk.
Anzahl Stück 800+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,3517
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
800
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 4,7mOhm
Max. Drainstrom: 180A
Maximaler Leistungsverlust: 375W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: CHINA BRAND
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole