IRFTS8342TRPBF JGSEMI

Symbol Micros: TIRFTS8342 JGS
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Gehäuse: SOT23-6
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 35mOhm; 7A; 1,56W; -55°C ~ 125°C; Äquivalent: IRFTS8342TRPBF; SP001552394;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 35mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 1,56W
Max. Drainstrom: 7A
Gehäuse: SOT23-6
Hersteller: JGSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: JGSEMI Hersteller-Teilenummer: IRFTS8342TRPBF RoHS Gehäuse: SOT23-6/t/r Datenblatt
Auf Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 700+
Nettopreis (EUR) 0,5502 0,3306 0,2543 0,2293 0,2196
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Standard-Verpackung:
700
Widerstand im offenen Kanal: 35mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 1,56W
Max. Drainstrom: 7A
Gehäuse: SOT23-6
Hersteller: JGSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 125°C
Montage: SMD

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