IRFZ24N

Symbol Micros: TIRFZ24
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 70mOhm; 17A; 45W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFZ24PBF; IRFZ24NPBF; IRFZ24NTRPBF; IRFZ24NSTRLPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 70mOhm
Max. Drainstrom: 17A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFZ24NPBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
250 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5248 0,3172 0,2449 0,2206 0,2099
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Standard-Verpackung:
50/200
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFZ24N RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
26 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5248 0,3172 0,2449 0,2206 0,2099
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Standard-Verpackung:
50/600
Widerstand im offenen Kanal: 70mOhm
Max. Drainstrom: 17A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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