IRL6372TRPBF JGSEMI

Symbol Micros: TIRL6372 JGS

Gehäuse: SOP08

2xN-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 38mOhm; 8,5A; 3,7W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRL6372PBF; IRL6372TRPBF; SP001568406; SP001569038;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	38mOhm
Max. Drainstrom:	8,5A
Maximaler Leistungsverlust:	3,7W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	JGSEMI
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Hersteller: JGSEMI Hersteller-Teilenummer: IRL6372TRPBF RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt

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Anzahl Stück	3+	20+	100+	400+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,3522	0,1959	0,1544	0,1416	0,1358

Widerstand im offenen Kanal:	38mOhm
Max. Drainstrom:	8,5A
Maximaler Leistungsverlust:	3,7W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	JGSEMI
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	2xN-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD