IRLB8743

Symbol Micros: TIRLB8743
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 4,2 mOhm; 150A; 140 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLB8743PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,2mOhm
Max. Drainstrom: 150A
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLB8743PBF RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
300 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 300+ 600+
Nettopreis (EUR) 1,1316 0,7528 0,5834 0,5458 0,5387
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLB8743PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
300 stk.
Anzahl Stück 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,6955
Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLB8743PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
7950 stk.
Anzahl Stück 300+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,5387
Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 4,2mOhm
Max. Drainstrom: 150A
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT