IRLL014N smd

Name: TIRLL014n TIRLL014n
Brand: Infineon
SKU: TIRLL014n
Price: 0.1290 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRLL014n

Gehäuse: SOT223

N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 16V; 280 mOhm; 2,8A; 2,1 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLL014NPBF; IRLL014NTRPBF; IRLL014NPBF-GURT;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	280mOhm
Max. Drainstrom:	2,8A
Maximaler Leistungsverlust:	2,1W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLL014NTRPBF RoHS Gehäuse: SOT223t/r

Auf Lager:

41 stk.

Anzahl Stück	3+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,3343	0,1844	0,1452	0,1347	0,1290

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRLL014NTR RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt

Auf Lager:

1100 stk.

Anzahl Stück	3+	10+	50+	250+	1200+
Nettopreis (EUR)	0,3343	0,2193	0,1573	0,1358	0,1286

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLL014NTRPBF Gehäuse: SOT223

Externes Lager:

47700 stk.

Anzahl Stück	50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,1756

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLL014NTRPBF Gehäuse: SOT223

Externes Lager:

137500 stk.

Anzahl Stück	5000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,1290

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLL014NTRPBF Gehäuse: SOT223

Externes Lager:

200000 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,1290

Widerstand im offenen Kanal:	280mOhm
Max. Drainstrom:	2,8A
Maximaler Leistungsverlust:	2,1W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	16V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	3+	20+	100+	500+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,3203	0,1714	0,1333	0,1206	0,1167