IRLL014N smd

Symbol Micros: TIRLL014n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 16V; 280 mOhm; 2,8A; 2,1 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLL014NPBF; IRLL014NTRPBF; IRLL014NPBF-GURT;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 280mOhm
Max. Drainstrom: 2,8A
Maximaler Leistungsverlust: 2,1W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRLL014NTRPBF RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
600 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 200+ 600+
Nettopreis (EUR) 0,3690 0,2406 0,1717 0,1497 0,1421
Standard-Verpackung:
600
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRLL014NTR RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
400 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 250+ 1200+
Nettopreis (EUR) 0,3690 0,2406 0,1717 0,1476 0,1396
Standard-Verpackung:
1200
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLL014NTRPBF RoHS Gehäuse: SOT223t/r  
Auf Lager:
41 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3690 0,2019 0,1581 0,1462 0,1400
Standard-Verpackung:
2500
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLL014NTRPBF Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
34950 stk.
Anzahl Stück 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,2662
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 280mOhm
Max. Drainstrom: 2,8A
Maximaler Leistungsverlust: 2,1W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD