IRLL014N smd

Name: TIRLL014n TIRLL014n
Brand: Infineon
SKU: TIRLL014n
Price: 0.1288 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRLL014n

Gehäuse: SOT223

N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 16V; 280 mOhm; 2,8A; 2,1 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLL014NPBF; IRLL014NTRPBF; IRLL014NPBF-GURT;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	280mOhm
Max. Drainstrom:	2,8A
Maximaler Leistungsverlust:	2,1W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLL014NTRPBF RoHS Gehäuse: SOT223t/r

Auf Lager:

41 stk.

Anzahl Stück	3+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,3338	0,1842	0,1450	0,1344	0,1288

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRLL014NTR RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt

Auf Lager:

400 stk.

Anzahl Stück	3+	10+	50+	250+	1200+
Nettopreis (EUR)	0,3338	0,2189	0,1571	0,1356	0,1284

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLL014NTRPBF Gehäuse: SOT223

Externes Lager:

44800 stk.

Anzahl Stück	50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,1811

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLL014NTRPBF Gehäuse: SOT223

Externes Lager:

77500 stk.

Anzahl Stück	5000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,1288

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLL014NTRPBF Gehäuse: SOT223

Externes Lager:

307500 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,1288

Artikel in der Lieferung

Geplantes Datum:
2026-06-23

Anzahl Stück: 600

Widerstand im offenen Kanal:	280mOhm
Max. Drainstrom:	2,8A
Maximaler Leistungsverlust:	2,1W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	16V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	3+	20+	100+	500+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,3198	0,1711	0,1330	0,1204	0,1165