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IRLML0030TRPBF

Symbol Micros: TIRLML0030tr

Gehäuse: SOT23

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N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 40mOhm; 5,3A; 1,3 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML0030TRPBF; IRLML0030PBF; IRLML0030PBF-GURT; IRLML0030; IRLML0030TR; IRLML0030TRPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	40mOhm
Max. Drainstrom:	5,3A
Maximaler Leistungsverlust:	1,3W
Gehäuse:	SOT23t/r
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML0030TR RoHS Gehäuse: SOT23t/r

Auf Lager:

22271 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,2419	0,1341	0,0893	0,0745	0,0693

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML0030TRPBF RoHS Gehäuse: SOT23t/r

Auf Lager:

30000 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,2419	0,1341	0,0893	0,0745	0,0693

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML0030TRPBF Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

29000 stk.

Anzahl Stück	100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0766

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML0030TRPBF Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

672000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0693

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML0030TRPBF Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

1644000 stk.

Anzahl Stück	6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0703

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	40mOhm
Max. Drainstrom:	5,3A
Maximaler Leistungsverlust:	1,3W
Gehäuse:	SOT23t/r
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD

IRLML0030TRPBF

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