IRLML5103

Symbol Micros: TIRLML5103
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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P-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 1Ohm; 760mA; 540 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML5103TRPBF; IRLML5103PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1Ohm
Maximaler Leistungsverlust: 540mW
Max. Drainstrom: 760mA
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML5103TR RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
693 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2165 0,1197 0,0796 0,0665 0,0618
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 1Ohm
Maximaler Leistungsverlust: 540mW
Max. Drainstrom: 760mA
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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