IRLML6344TRPBF HXY MOSFET

Symbol Micros: TIRLML6344 HXY
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 55mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRLML6344TRPBF; SP001574050;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 55mOhm
Max. Drainstrom: 5,8A
Maximaler Leistungsverlust: 1,4W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Hersteller: HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer: IRLML6344TRPBF RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1366 0,0649 0,0364 0,0278 0,0248
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer: IRLML6344TRPBF RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
104 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Nettopreis (EUR) 0,1366 0,0546 0,0316 0,0264 0,0248
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Standard-Verpackung:
1000
Widerstand im offenen Kanal: 55mOhm
Max. Drainstrom: 5,8A
Maximaler Leistungsverlust: 1,4W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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