IRLR2705TRPBF

Symbol Micros: TIRLR2705
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPAK)
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N-MOSFET-Transistor; 55V; 16V; 65mOhm; 28A; 68W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLR2705PBF; IRLR2705TRPBF; IRLR2705TRLPBF; IRLR2705PBF-GURT; IRLR2705; YFW50N06AD; MOT30N06D; DH300N08D;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 65mOhm
Max. Drainstrom: 28A
Maximaler Leistungsverlust: 68W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR2705TRPBF RoHS Gehäuse: TO252 (DPAK) t/r  
Auf Lager:
2000 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5119 0,3094 0,2389 0,2150 0,2045
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Standard-Verpackung:
2000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR2705TRPBF RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r  
Auf Lager:
335 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5119 0,3094 0,2389 0,2150 0,2045
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Standard-Verpackung:
2000
Widerstand im offenen Kanal: 65mOhm
Max. Drainstrom: 28A
Maximaler Leistungsverlust: 68W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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