IRLR2905 smd
Symbol Micros:
TIRLR2905
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-MOSFET-Transistor; 55V; 16V; 40mOhm; 42A; 110 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLR2905PBF; IRLR2905TRPBF; IRLR2905PBF-GURT; IRLR2905TRLPBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 40mOhm |
| Max. Drainstrom: | 42A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 110W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRLR2905TR RoHS
Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r
Auf Lager:
626 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,9367 | 0,6221 | 0,5165 | 0,4648 | 0,4460 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 40mOhm |
| Max. Drainstrom: | 42A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 110W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 16V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole