IRLR2908

Symbol Micros: TIRLR2908
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPAK)
N-MOSFET-Transistor; 80V; 16V; 30mOhm; 39A; 120 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLR2908PBF; IRLR2908TRLPBF; IRLR2908TRPBF; IRLR2908PBF-GURT; IRLR2908TRLPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 30mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 120W
Max. Drainstrom: 39A
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRLR2908TR RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
76 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 200+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,1027 0,7721 0,6357 0,5872 0,5803
Standard-Verpackung:
200
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR2908TRPBF Gehäuse: TO252 (DPAK)  
Externes Lager:
49350 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,5803
Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR2908TRPBF Gehäuse: TO252 (DPAK)  
Externes Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,5803
Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR2908TRPBF Gehäuse: TO252 (DPAK)  
Externes Lager:
2000 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,5803
Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR2908TRPBF Gehäuse: TO252 (DPAK)  
Externes Lager:
6350 stk.
Anzahl Stück 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,5803
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 30mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 120W
Max. Drainstrom: 39A
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD