IRLR8726 HXY MOSFET

Symbol Micros: TIRLR8726 HXY
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 9mOhm; 80A; 54W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRLR8726PBF; IRLR8726TRLPBF; IRLR8726TRPBF; SP001573950; SP001552846; SP001573108;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 9mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 54W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 9mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 54W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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