IRLZ34NSTRL UMW

Symbol Micros: TIRLZ34ns UMW
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Gehäuse: TO263 (D2PAK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 16V; 60mOhm; 30A; 3,8W; -55°C~175°C; Äquivalent: IRLZ34SPBF; IRLZ34NSPBF; IRLZ34NSTRLPBF; SP001568692; SP001573060;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 60mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 3,8W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: UMW Hersteller-Teilenummer: IRLZ34NSTRL RoHS Gehäuse: TO263t/r (D2PAK) Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,7545 0,4739 0,3937 0,3489 0,3277
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 60mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 3,8W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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