LGE3407 SOT23 LGE

Symbol Micros: TAO3407a LGE
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
Transistor P-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 78mOhm; 4,3A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: AO3400A 003;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 48mOhm
Max. Drainstrom: 4,3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,4W
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: LGE3407 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
2990 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1391 0,0661 0,0371 0,0283 0,0253
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 48mOhm
Max. Drainstrom: 4,3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,4W
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole