LTV-814S-TA1

Symbol Micros: OOPC814ltvs
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PDIP04smd
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
einzelner CTR 20-300 % Vce 35 V Uiso 5,0 kV NPN-Fototransistor Äquivalent: PC814S, FOD814AS LTV-814S LTV-814S-TA1 LTV-814S-TA1-A; LTV814S-TA1; LTV814S;
Parameter
Klickrate (CTR): 20-300%
Gehäuse: PDIP04smd
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 5000V
Ausgangsspannung [V]: 35V
Hersteller: LITE-ON Hersteller-Teilenummer: LTV814S-TA1 RoHS Gehäuse: PDIP04smd Datenblatt
Auf Lager:
13516 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 200+ 1000+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,2763 0,1332 0,0909 0,0805 0,0786
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1000/2000/20000
Klickrate (CTR): 20-300%
Gehäuse: PDIP04smd
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 5000V
Ausgangsspannung [V]: 35V

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole