MJD122T4G-CN CHIPNOBO

Symbol Micros: TMJD122t4 CNB
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPAK)
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NPN Darlington-Transistor; 1000; 1,25W, 100V; 4A; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: MJD122G; MJD122T4G; MJD122T4; MJD122-TP;
Parameter
Verlustleistung: 1,25W
Hersteller: CHIPNOBO
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Stromverstärkungsfaktor: 1000
Max. Kollektor-Strom [A]: 4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Hersteller: CHIPNOBO Hersteller-Teilenummer: MJD122T4G-CN RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
300 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,3164 0,1695 0,1320 0,1195 0,1155
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Standard-Verpackung:
500
Verlustleistung: 1,25W
Hersteller: CHIPNOBO
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Stromverstärkungsfaktor: 1000
Max. Kollektor-Strom [A]: 4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: Darlington NPN

Symbol Micros

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