MJD127

Symbol Micros: TMJD127
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
PNP 8A 100V 20W PNP 8A 100V 20W
Parameter
Verlustleistung: 1,75W
Gehäuse: TO252
Stromverstärkungsfaktor: 12000
Grenzfrequenz: 4MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: MJD127T4 RoHS Gehäuse: TO252t/r  
Auf Lager:
890 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4085 0,2253 0,1771 0,1641 0,1573
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
2500
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MJD127G Gehäuse: TO252  
Externes Lager:
993 stk.
Anzahl Stück 300+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,4402
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
75
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: MJD127T4 Gehäuse: TO252  
Externes Lager:
1360000 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,1725
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 1,75W
Gehäuse: TO252
Stromverstärkungsfaktor: 12000
Grenzfrequenz: 4MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole