MJD127

Symbol Micros: TMJD127

Gehäuse: TO252

PNP 8A 100V 20W PNP 8A 100V 20W

Parameter

Verlustleistung:	1,75W
Stromverstärkungsfaktor:	12000
Gehäuse:	TO252
Grenzfrequenz:	4MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	100V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C

Hersteller: YFW Hersteller-Teilenummer: MJD127 RoHS Gehäuse: TO252t/r

Auf Lager:

50 stk.

Anzahl Stück	3+	10+	30+	100+	290+
Nettopreis (EUR)	0,2860	0,1796	0,1354	0,1132	0,1040

Hersteller: YFW Hersteller-Teilenummer: MJD127 RoHS Gehäuse: TO252t/r (DPACK)

Auf Lager:

960 stk.

Anzahl Stück	3+	10+	30+	100+	290+
Nettopreis (EUR)	0,2860	0,1796	0,1354	0,1132	0,1040

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: MJD127T4 Gehäuse: TO252

Externes Lager:

162500 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1139

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: MJD127T4 Gehäuse: TO252

Externes Lager:

105000 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1355

Verlustleistung:	1,75W
Stromverstärkungsfaktor:	12000
Gehäuse:	TO252
Grenzfrequenz:	4MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	100V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	PNP

Anzahl Stück	3+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,2789	0,1479	0,1146	0,1059	0,1014

Anzahl Stück	3+	10+	50+	300+	1500+
Nettopreis (EUR)	0,2789	0,1784	0,1255	0,1066	0,1014