MJD45H11T4G JSMICRO

Symbol Micros: TMJD45h11t4 JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPAK)
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PNP-Transistor; 60; 50W; 80V; 8A; 40MHz; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: MJD45H11G; MJD45H11T4G; MJD45H11T4; MJD45H11J; MJD45H11-13;
Parameter
Verlustleistung: 50W
Hersteller: JSMICRO
Gehäuse: TO252 (DPAK)
Stromverstärkungsfaktor: 60
Grenzfrequenz: 40MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MJD45H11T4G RoHS Gehäuse: TO252 (DPAK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
300 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 300+ 1200+
Nettopreis (EUR) 0,4505 0,2730 0,2098 0,1861 0,1797
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Standard-Verpackung:
300
Verlustleistung: 50W
Hersteller: JSMICRO
Gehäuse: TO252 (DPAK)
Stromverstärkungsfaktor: 60
Grenzfrequenz: 40MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

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