MJE13007 LGE

Symbol Micros: TMJE13007 lge
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
Transistor NPN; 40; 2W, 400V; 8A; 4MHz, -55°C ~ 150°C; MJE13007G; MJE13007-BP; ST13007; PHE13007,127; FJP13007TU;
Parameter
Verlustleistung: 2W
Hersteller: LGE
Stromverstärkungsfaktor: 40
Gehäuse: TO220
Grenzfrequenz: 4MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 400V
Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: MJE13007 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
300 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 300+ 1200+
Nettopreis (EUR) 0,5236 0,3170 0,2442 0,2165 0,2090
Standard-Verpackung:
50/300
Verlustleistung: 2W
Hersteller: LGE
Stromverstärkungsfaktor: 40
Gehäuse: TO220
Grenzfrequenz: 4MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 400V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN