NTD25P03LG smd

Symbol Micros: TNTD25P03
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPAK)
P-MOSFET-Transistor; 30V; 15V; 90mOhm; 25A; 75W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: NTD25P03LT4G; DMP3028LK3; NTD25P03LG(UMW); NTD25P03LG-HXY; NTD25P03LG-VB;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 90mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 75W
Max. Drainstrom: 25A
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: NTD25P03LT4G RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
7646 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,1223 0,7863 0,6673 0,6113 0,5903
Standard-Verpackung:
2500
Widerstand im offenen Kanal: 90mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 75W
Max. Drainstrom: 25A
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 15V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD