KP2012F3C

Symbol Micros: OIN KP2012F3C
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: Rys.KP2012F3C
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0805 SMD IR-Emissionsdiode; Wellenlänge: 940 nm Strahlungsintensität: 3,0 mW/sr; IF=20mA; VF=1,2V
Parameter
Vorwärtsstrom: 50mA
Hersteller: KINGBRIGHT
Montage: SMD
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 85°C
Optische Leistung: 80mW
Größe: 2x1,25x1mm
Öffnungswinkel: 120°
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Vorwärtsstrom: 50mA
Hersteller: KINGBRIGHT
Montage: SMD
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 85°C
Optische Leistung: 80mW
Größe: 2x1,25x1mm
Öffnungswinkel: 120°
Wellenlänge: 940nm

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