LTE-5208A LITE-ON
Symbol Micros:
OIN LTE-5208A
Gehäuse: Rys.OIN LTE-5208A
IR-Emitterdiode THAT 5mm; Wellenlänge: 940nm; Betrachtungswinkel: 40° Leistung: 150mW; IF=100mA; VF= 1,2-1,6V; Betriebstemperatur: -40°C - 85°C
Parameter
| Hersteller: | Lite-On |
| Größe: | 5mm |
| Montage: | THT |
| Vorwärtsstrom: | 100mA |
| Optische Leistung: | 150mW |
| Wellenlänge: | 940nm |
| Öffnungswinkel: | 40° |
Hersteller: LITE-ON
Hersteller-Teilenummer: LTE-5208A RoHS
Gehäuse: Rys.OIN LTE-5208A
Auf Lager:
1000 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2254 | 0,1234 | 0,0809 | 0,0698 | 0,0644 |
| Hersteller: | Lite-On |
| Größe: | 5mm |
| Montage: | THT |
| Vorwärtsstrom: | 100mA |
| Optische Leistung: | 150mW |
| Wellenlänge: | 940nm |
| Öffnungswinkel: | 40° |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 85°C |
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