OIN LTE306
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OIN LTE306
Gehäuse: Rys.LTE306
IR-Emissionsdiode Seitenansicht 3x3x4mm; transparent; Wellenlänge: 940 nm 75 mW; IF=50mA; VF=1,2V; Temperaturen: Arbeit -40°C +85°C, Lagerung -55°C +100°C
Parameter
| Vorwärtsstrom: | 50mA |
| Hersteller: | LITEON |
| Montage: | THT (abgewinkelt) |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 85°C |
| Optische Leistung: | 75mW |
| Größe: | 3x3x4mm |
| Öffnungswinkel: | 30° |
| Vorwärtsstrom: | 50mA |
| Hersteller: | LITEON |
| Montage: | THT (abgewinkelt) |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 85°C |
| Optische Leistung: | 75mW |
| Größe: | 3x3x4mm |
| Öffnungswinkel: | 30° |
| Wellenlänge: | 940nm |
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