OTBPW17N
Symbol Micros:
OIO BPW17N
Gehäuse: Rys.BPW17N
Fototransistor BPW17N; 1,8 mm; Kollektor-Emitter-Spannung 32 V; Emitter-Kollektor 5V; 100 mW; Arbeitstemperatur -40 °C +100 °C; transparent;
Parameter
| Gehäuse: | BPW17N |
| Gehäusefarbe: | Transparent |
| Hersteller: | VISHAY |
| Leistung: | 0,1W |
| Betriebstemperatur: | -40°C ~ 100°C |
| Gehäuse: | BPW17N |
| Gehäusefarbe: | Transparent |
| Hersteller: | VISHAY |
| Leistung: | 0,1W |
| Betriebstemperatur: | -40°C ~ 100°C |
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