BPW34
Symbol Micros:
OIO Bpw34
Gehäuse: Rys.BPW34
Fotodiode BPW34; BIS 5; Spannung 60 V; Id=30nA; IL=75uA 250 mW; Arbeitstemperatur -55 °C +100 °C; Wellenlänge 900 nm; Wohnung;
Parameter
| Durchmesser: | 4,3mm |
| Leuchtwinkel: | 130° |
| Montage: | THT |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 100°C |
| Wellenlänge: | 900nm |
| Wellenlänge (Bereich): | 430nm~1100nm |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: BPW34 RoHS
Gehäuse: Rys.BPW34
Datenblatt
Auf Lager:
1894 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,7371 | 0,4669 | 0,3674 | 0,3342 | 0,3200 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: BPW34
Gehäuse: Rys.BPW34
Externes Lager:
2650 stk.
| Anzahl Stück | 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4130 |
Hersteller: AMSOSRAM
Hersteller-Teilenummer: BPW34
Gehäuse: Rys.BPW34
Externes Lager:
670953 stk.
| Anzahl Stück | 2000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3200 |
| Durchmesser: | 4,3mm |
| Leuchtwinkel: | 130° |
| Montage: | THT |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 100°C |
| Wellenlänge: | 900nm |
| Wellenlänge (Bereich): | 430nm~1100nm |
Ausführliche Beschreibung
Hersteller: VISHAY
Fotodetektortyp: Fotodiode
Wellenlänge bei maximaler Empfindlichkeit: 900nm
Wellenlängenbereich λd: 430nm ~ 1100nm
Spannung: 60V
Betrachtungswinkel: 130°
Lichtempfindliche Fläche: 7,5mm²
Dunkelstrom: 2nA
Montage: THT
Betriebstemperatur: -40°C ~ 100°C
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