BPW34
Symbol Micros:
OIO Bpw34
Gehäuse: Rys.BPW34
Fotodiode BPW34; BIS 5; Spannung 60 V; Id=30nA; IL=75uA 250 mW; Arbeitstemperatur -55 °C +100 °C; Wellenlänge 900 nm; Wohnung;
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Parameter
Durchmesser: | 4,3mm |
Leuchtwinkel: | 130° |
Montage: | THT |
Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 100°C |
Wellenlänge: | 900nm |
Wellenlänge (Bereich): | 430nm~1100nm |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: BPW34 RoHS
Gehäuse: Rys.BPW34
Datenblatt
Auf Lager:
2428 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,7280 | 0,4611 | 0,3628 | 0,3300 | 0,3160 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: BPW34
Gehäuse: Rys.BPW34
Externes Lager:
46436 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.) |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3160 |
Hersteller: AMSOSRAM
Hersteller-Teilenummer: BPW34
Gehäuse: Rys.BPW34
Externes Lager:
619153 stk.
Anzahl Stück | 1000+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.) |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3160 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: BPW34
Gehäuse: Rys.BPW34
Externes Lager:
1900 stk.
Anzahl Stück | 50+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.) |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3160 |
Durchmesser: | 4,3mm |
Leuchtwinkel: | 130° |
Montage: | THT |
Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 100°C |
Wellenlänge: | 900nm |
Wellenlänge (Bereich): | 430nm~1100nm |
Ausführliche Beschreibung
Manufacturer: VISHAY
Photodetector type: photodiode
Wavelength of peak sensitivity: 900nm
Spectral Range: 430nm ~ 1100nm
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60V
Viewing angle: 130°
Active area: 7.5mm²
Dark Current: 2nA
Mounting: THT
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
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