KP-2012P3C
Symbol Micros:
OIO KP-2012P3C
Gehäuse: Rys.KP-2012P3C
Abmessungen des Fototransistors: 2,0 x 1,25 x 1,1 mm; 940 nm; Kollektor-Emitter 30V; Emitter-Kollektor 5V; 100 mW; Arbeitstemperatur -40 °C bis 85 °C; Lagerung: -40 °C bis 85 °C;
Parameter
| Gehäuse: | 0805 |
| Gehäusefarbe: | Transparent |
| Hersteller: | KingBright |
| Leistung: | 0,1W |
| Betriebstemperatur: | -40°C ~ 85°C |
Hersteller: KingBright
Hersteller-Teilenummer: KP-2012P3C RoHS
Gehäuse: Rys.KP-2012P3C
Datenblatt
Auf Lager:
29 stk.
| Anzahl Stück | 3+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2595 | 0,1384 | 0,1078 | 0,0975 | 0,0942 |
Hersteller: -
Hersteller-Teilenummer: KP-2012P3C
Gehäuse: Rys.KP-2012P3C
Externes Lager:
1830 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1290 |
| Gehäuse: | 0805 |
| Gehäusefarbe: | Transparent |
| Hersteller: | KingBright |
| Leistung: | 0,1W |
| Betriebstemperatur: | -40°C ~ 85°C |
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