S300TW4G-P YETDA

S300TW4G-P YETDA – Charakterystyka ogólna i konstrukcja

Element optoelektroniczny S300TW4G-P to zaawansowana technologicznie, superjasna dioda elektroluminescencyjna emitująca światło o barwie białej. Dioda została umieszczona w standardowej obudowie o średnicy 3mm. Zasadniczym elementem konstrukcyjnym omawianego komponentu jest wdrożenie wysokiej klasy materiału półprzewodnikowego InGaN. Technologia InGaN gwarantuje osiągnięcie bardzo wysokiej wydajności świetlnej przy zachowaniu nominalnego poboru prądu, co jest kluczowe w nowoczesnych układach elektronicznych. Komponent posiada całkowicie przezroczystą soczewkę (Water Clear), co pozwala na zmaksymalizowanie transmisji wygenerowanego strumienia świetlnego bez zjawiska niepożądanego rozpraszania fotonów. Ważnym atrybutem fizycznym są fabrycznie wydłużone wyprowadzenia (Long Leads), które zdecydowanie ułatwiają proces lutowania na zróżnicowanych płytkach obwodów drukowanych oraz dają inżynierom o wiele większą elastyczność w ustalaniu wysokości montażu.

S300TW4G-P YETDA – Specyfikacja techniczna i parametry elektrooptyczne

Poniżej zaprezentowano szczegółowe zestawienie kluczowych parametrów elektrycznych oraz optycznych. Zadeklarowane wartości nominalne zostały zdefiniowane dla temperatury otoczenia wynoszącej 25°C.

• Średnica obudowy: 3mm
• Materiał emitera: InGaN
• Rodzaj soczewki: Przezroczysta (Water Clear)
• Ciągły prąd przewodzenia: 30mA
• Szczytowy prąd przewodzenia: 120mA
• Minimalne napięcie przewodzenia (Vf) przy If=20mA: 2.80V
• Typowe napięcie przewodzenia (Vf) przy If=20mA: 3.20V
• Maksymalne napięcie przewodzenia (Vf) przy If=20mA: 3.80V
• Maksymalny prąd wsteczny (Ir) przy Vr=5V: 10uA
• Typowa światłość (Iv) przy If=20mA: 3000mcd
• Współrzędne chromatyczności CIE (X, Y) przy If=20mA: 0.28, 0.28
• Kąt połowy emisji (2 θ1/2) przy If=20mA: 25deg
• Dopuszczalna temperatura lutowania: 260°C przez maksymalnie 3s
• Minimalny dystans lutowania od korpusu: 1.6mm
• Wysokość całkowita korpusu: 5.3±0.2mm
• Szerokość całkowita bazy: 3.8±0.2mm
• Minimalna długość wyprowadzeń: 26.0mm
• Przekrój wyprowadzeń: kwadratowy 0.5mm
• Rozstaw wyprowadzeń (raster): 2.54±0.1mm

S300TW4G-P YETDA – Zastosowanie w przemysłowych układach elektronicznych

Wykorzystanie innowacyjnej struktury półprzewodnikowej InGaN w połączeniu z bardzo wysoką światłością na poziomie 3000mcd sprawia, że komponent ten doskonale sprawdza się w wysoce wymagających aplikacjach optoelektronicznych. Wąski kąt świecenia wynoszący 25deg determinuje silne zogniskowanie strumienia świetlnego. Powyższa charakterystyka sprawia, że opisywana dioda jest wprost rekomendowana do implementacji w nowoczesnych urządzeniach, w których absolutnie niezbędne jest precyzyjne oświetlenie kierunkowe lub bardzo wyraźna sygnalizacja statusu pracy na panelach frontowych, zachowująca pełną czytelność nawet przy bardzo silnym nasłonecznieniu lub intensywnym oświetleniu halowym.

W profesjonalnej elektronice element ten znajduje szerokie zastosowanie jako główny wskaźnik optyczny w certyfikowanej aparaturze pomiarowej, zaawansowanym sprzęcie laboratoryjno-medycznym, a także w zintegrowanych sterownikach automatyki przemysłowej. Przezroczysta soczewka zestawiona z neutralnie białą barwą emitowanego światła umożliwia również efektywne wdrożenie tego elementu jako punktowego źródła podświetlenia niewielkich matryc wyświetlaczy LCD, urządzeń przenośnych oraz dedykowanych klawiatur membranowych stosowanych chociażby w systemach ścisłej kontroli dostępu.

Wysoka wytrzymałość termiczna, pozwalająca na bezpieczne lutowanie w temperaturze 260°C, jednoznacznie predysponuje ten konkretny model do bezproblemowego zastosowania w masowych procesach montażu przewlekanego na fali (THT). Fabrycznie wydłużone wyprowadzenia, osiągające minimum 26.0mm długości, znacząco ułatwiają proces ręcznego formowania rastra w układach prototypowych lub podczas montażu serwisowego na znacznie wyższych dystansach od laminatu PCB. Standardowy, znamionowy prąd pracy wynoszący 20mA gwarantuje w pełni natywną kompatybilność z układami logicznymi większości dostępnych na rynku mikrokontrolerów. Zapewnia to inżynierom bezpośrednie sterowanie pracą diody bez konieczności projektowania złożonych, dedykowanych obwodów zasilających, obniżając tym samym ogólne koszty struktury BOM projektowanego pakietu elektronicznego.