KP-2012SGC Kingbright

KP-2012SGC Kingbright - Charakterystyka ogólna i budowa

Dioda KP-2012SGC to miniaturowy komponent półprzewodnikowy przeznaczony do automatycznego montażu powierzchniowego (SMD), wyprodukowany przez firmę Kingbright. Element został zamknięty w standardowej, niskoprofilowej obudowie o wymiarach 2.0mm długości, 1.25mm szerokości i zaledwie 1.1mm grubości, co w branży elektronicznej odpowiada popularnemu formatowi 0805. Układ emituje światło w wyrazistym kolorze określanym w specyfikacji jako Super Bright Green, które jest generowane bezpośrednio przez złącze wyprodukowane na bazie fosforku galu (GaP). Dioda posiada całkowicie przezroczystą soczewkę typu Water Clear, co w bezpośrednim połączeniu z płaską konstrukcją obudowy pozwala na uzyskanie bardzo szerokiego kąta propagacji światła wynoszącego dokładnie 160°. Komponent cechuje się niskim poborem mocy, co jest parametrem wysoce pożądanym w projektowaniu obwodów o zoptymalizowanym bilansie energetycznym. Produkt spełnia wszystkie wymogi unijnej dyrektywy środowiskowej RoHS i legitymuje się trzecim poziomem czułości na wilgoć (MSL 3), co jednoznacznie determinuje prawidłowe warunki jego magazynowania przed procesem lutowania.

KP-2012SGC Kingbright - Zastosowanie produktu w obwodach

Dzięki wyjątkowo szerokiemu kątowi rozsyłu wiązki świetlnej wynoszącemu 160° oraz w pełni transparentnej soczewce, układ stanowi optymalne rozwiązanie inżynieryjne do tworzenia równomiernego podświetlenia (backlight) w rozbudowanych matrycach, wyświetlaczach panelowych oraz bezpośrednio pod klawiaturami membranowymi. Niewielkie gabaryty obudowy SMD ułatwiają bezproblemową implementację tego komponentu w zaawansowanych aplikacjach wymagających wysokiej gęstości upakowania elementów na docelowym obwodzie drukowanym. Dioda jest powszechnie stosowana jako dyskretny i precyzyjny wskaźnik stanu pracy (status indicator) w nowoczesnej elektronice użytkowej, w tym sprzęcie gospodarstwa domowego (home appliances) oraz zintegrowanych instalacjach typu smart home. Niski pobór prądu sprawia, że element stanowi trafny wybór do zasilanych bateryjnie urządzeń przenośnych (portable devices) i elektroniki noszonej (wearables), skutecznie wydłużając czas pracy wbudowanego akumulatora. Układ ten doskonale sprawdza się również w specjalistycznym sprzęcie medycznym (healthcare applications), wymagającym bezwzględnej niezawodności, długiej żywotności i bezawaryjnej pracy złącza sygnalizacyjnego.

KP-2012SGC Kingbright - Specyfikacja techniczna

Właściwości optoelektroniczne określone w warunkach laboratoryjnych dla prądu pomiarowego 20mA oraz temperatury otoczenia równej 25°C:

• Typ materiału złącza półprzewodnikowego: GaP.
• Rodzaj i wykończenie soczewki optycznej: Water Clear.
• Szczytowa długość fali świetlnej (λpeak): 565nm.
• Dominująca długość fali świetlnej (λdom): 568nm.
• Szerokość widmowa połówkowa (Δλ): 30nm.
• Pojemność elektryczna złącza (C): 15pF.
• Typowe napięcie przewodzenia (VF): 2.2V.
• Maksymalne napięcie przewodzenia (VF): 2.5V.
• Maksymalny prąd wsteczny (IR) przy zadanym napięciu 5V: 10uA.
• Minimalna wartość światłości układu (Iv): 5mcd.
• Typowa wartość światłości układu (Iv): 12mcd.
• Zmierzony kąt widzenia generowanego promieniowania (2θ1/2): 160°.

KP-2012SGC Kingbright - Parametry graniczne i wytyczne montażu

Maksymalna moc strat (PD) wydzielana na strukturze półprzewodnikowej nie może w żadnym cyklu pracy przekroczyć bariery 62.5mW. Układ przewodzi w sposób ciągły prąd stały (IF) o wartości do 25mA oraz stabilnie znosi krótkotrwały szczytowy prąd impulsowy (IFM) rzędu 140mA, przy ścisłym zachowaniu cyklu pracy 1/10 i pojedynczym impulsie nieprzekraczającym 0.1ms. Dioda cechuje się wysoką przemysłową odpornością na wyładowania elektrostatyczne, z udokumentowanym progiem ESD dla modelu HBM wynoszącym 8000V. Maksymalne dopuszczalne napięcie zaporowe (VR) wynosi 5V. Bezpieczna temperatura pracy (Top) i dopuszczalna temperatura przechowywania (Tstg) mieszczą się w przedziale od -40°C do +85°C, natomiast graniczna temperatura samego złącza (TJ) nie może w żadnym wypadku przekroczyć 110°C. Komponent ten zaprojektowano wyłącznie do lutowania rozpływowego (reflow soldering). Certyfikowany profil lutowania bezołowiowego wymaga zastosowania strefy wygrzewania (pre-heating) w temperaturach od 150°C do 200°C przez czas wynoszący od 60s do 120s. Szczytowa dopuszczalna temperatura lutowania na linii produkcyjnej wynosi maksymalnie 260°C przez nie więcej niż 10s. Powyższą diodę można poddać temu procesowi termicznemu najwyżej dwukrotnie, a producent stanowczo odradza korzystanie z innych metod łączenia z obwodem, z uwagi na duże ryzyko wewnętrznego uszkodzenia struktury produktu.