4N25-300E AVAGO

Symbol Micros: OO4N25-300e
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PDIP06smd
einzeln, CTR 20 %, Vce 30 V, Uiso 2,5 kV, Transistor mit Sockel 4N25-300E (ROHR), 4N25-500E (T&R)
Parameter
Klickrate (CTR): 20%
Gehäuse: DIP06smd
Ausgang-Typ: Transistor with Base
Isolationsspannung: 2500V
Ausgangsspannung: 30V
Hersteller: BROADCOM Hersteller-Teilenummer: 4N25-300E RoHS Gehäuse: PDIP06smd  
Auf Lager:
14 stk.
Anzahl Stück 2+ 5+ 20+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,5708 0,4234 0,3158 0,2643 0,2480
Standard-Verpackung:
20
Hersteller: BROADCOM Hersteller-Teilenummer: 4N25-500E Gehäuse: PDIP06smd  
Externes Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2480
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: BROADCOM Hersteller-Teilenummer: 4N25-300E Gehäuse: PDIP06smd  
Externes Lager:
16110 stk.
Anzahl Stück 715+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2480
Standard-Verpackung:
65
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Klickrate (CTR): 20%
Gehäuse: DIP06smd
Ausgang-Typ: Transistor with Base
Isolationsspannung: 2500V
Ausgangsspannung: 30V