4N25SM

Symbol Micros: OO4N25ltvs
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PDIP06smd
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einzelner CTR 20 % Vce 30 V Uiso 7,5 kV Transistor mit Sockel 4N25S-TA1; 4N25S-LIT;
Parameter
Klickrate (CTR): 20%
Gehäuse: DIP06smd
Ausgang-Typ: Transistor with Base
Isolationsspannung: 7500V
Ausgangsspannung [V]: 30V
Hersteller: LITE-ON Hersteller-Teilenummer: 4N25S-TA1 RoHS Gehäuse: PDIP06smd  
Auf Lager:
650 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2913 0,1590 0,1043 0,0899 0,0830
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Standard-Verpackung:
1000
Hersteller: LITE-ON Hersteller-Teilenummer: 4N25S-TA1 Gehäuse: PDIP06smd  
Externes Lager:
2000 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0878
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Klickrate (CTR): 20%
Gehäuse: DIP06smd
Ausgang-Typ: Transistor with Base
Isolationsspannung: 7500V
Ausgangsspannung [V]: 30V

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