4N25M LITEON

Symbol Micros: OO4N25m
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PDIP06
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einzelner CTR 20 % Vce 30 V Uiso 4,17 kV Transistor mit Sockel 4N25M-LIT;
Parameter
Klickrate (CTR): 20%
Gehäuse: PDIP06
Ausgang-Typ: Transistor with Base
Isolationsspannung: 4170V
Ausgangsspannung: 30V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 4N25M Gehäuse: PDIP06  
Externes Lager:
2000 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1399
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 4N25M Gehäuse: PDIP06  
Externes Lager:
4000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1473
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 4N25M Gehäuse: PDIP06  
Externes Lager:
2100 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1473
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Klickrate (CTR): 20%
Gehäuse: PDIP06
Ausgang-Typ: Transistor with Base
Isolationsspannung: 4170V
Ausgangsspannung: 30V

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