4N25M LITEON

Symbol Micros: OO4N25m
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PDIP06
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einzelner CTR 20 % Vce 30 V Uiso 4,17 kV Transistor mit Sockel 4N25M-LIT;
Parameter
Gehäuse: PDIP06
Klickrate (CTR): 20%
Isolationsspannung: 4170V
Ausgang-Typ: Transistor with Base
Ausgangsspannung [V]: 30V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Gehäuse: PDIP06
Klickrate (CTR): 20%
Isolationsspannung: 4170V
Ausgang-Typ: Transistor with Base
Ausgangsspannung [V]: 30V

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