4N35-300E AVAGO

Symbol Micros: OO4N35-300e
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PDIP06smd
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einzelner CTR 100 % Vce 30 V Uiso 3,55 kV Transistor mit Sockel
Parameter
Gehäuse: DIP06smd
Klickrate (CTR): 100%
Isolationsspannung: 3,55kV
Ausgang-Typ: Transistor with Base
Ausgangsspannung [V]: 30V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Gehäuse: DIP06smd
Klickrate (CTR): 100%
Isolationsspannung: 3,55kV
Ausgang-Typ: Transistor with Base
Ausgangsspannung [V]: 30V

Symbol Micros

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