4N35SM

Symbol Micros: OO4N35sm
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PDIP06smd
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
einzelner CTR 100 % Vce 30 V Uiso 4,17 kV Transistor mit Sockel 4N35-SMD-I; 4N35SM; 4N35SR2M;
Parameter
Klickrate (CTR): 100%
Gehäuse: DIP06smd
Ausgang-Typ: Transistor with Base
Isolationsspannung: 4170V
Ausgangsspannung: 30V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 4N35SM RoHS Gehäuse: PDIP06smd  
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,5573 0,3504 0,2728 0,2587 0,2422
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50/200
Klickrate (CTR): 100%
Gehäuse: DIP06smd
Ausgang-Typ: Transistor with Base
Isolationsspannung: 4170V
Ausgangsspannung: 30V

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole