6N136-560E SMD8

Symbol Micros: OO6N136-560e
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PDIP08smd
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einzelner CTR 19-50 % Vce 20 V Uiso 3,75 kV Transistor mit Sockel
Parameter
Klickrate (CTR): 19-50%
Gehäuse: DIP08smd
Ausgang-Typ: Transistor with Base
Isolationsspannung: 3750V
Ausgangsspannung: 20V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Klickrate (CTR): 19-50%
Gehäuse: DIP08smd
Ausgang-Typ: Transistor with Base
Isolationsspannung: 3750V
Ausgangsspannung: 20V

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